بررسی اثر میدان مغناطیسی بر نانو سیال رسانا
Publish place: اولین کنفرانس بین‌المللی مهندسی مکانیک و هوافضا
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 754
This Paper With 7 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
MECHAERO01_244
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
Abstract:
ویسکوزیته نانوسیال مغناطیسی اتیلن گلایکول- Fe4O3 تحت میدان مغناطیسی ثابت، موازی و در جهت جریان نانوسیال به طور آزمایشگاهی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد با افزایش شدت میدان مغناطیسی ویسکوزیته نانوسیال کاهش می یابد. همچنین آزمایشات نشان داد افزایش زمان قرارگیری نانوسیال در معرض میدان مغناطیسی تأثیر کاهش ویسکوزیته نانوسیال را بیشتر میکند.
Keywords:
Authors
سعید رحمانی
دانشجوی کارشناسی ار شد , دانشگاه آزاد اسلامی واحد تاکستان
میلاد طاهرخانی
دانشجوی کارشناسی ار شد , دانشگاه آزاد اسلامی واحد تاکستان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :