بررسی اثر میدان مغناطیسی بر نانو سیال رسانا

سعید, رحمانی; میلاد, طاهرخانی

بررسی اثر میدان مغناطیسی بر نانو سیال رسانا

عنوان مقاله: بررسی اثر میدان مغناطیسی بر نانو سیال رسانا
شناسه ملی مقاله: MECHAERO01_244
منتشر شده در اولین کنفرانس بین‌المللی مهندسی مکانیک و هوافضا در سال 1395

مشخصات نویسندگان مقاله:

سعید رحمانی - دانشجوی کارشناسی ار شد , دانشگاه آزاد اسلامی واحد تاکستان
میلاد طاهرخانی - دانشجوی کارشناسی ار شد , دانشگاه آزاد اسلامی واحد تاکستان

خلاصه مقاله:

ویسکوزیته نانوسیال مغناطیسی اتیلن گلایکول- Fe4O3 تحت میدان مغناطیسی ثابت، موازی و در جهت جریان نانوسیال به طور آزمایشگاهی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد با افزایش شدت میدان مغناطیسی ویسکوزیته نانوسیال کاهش می یابد. همچنین آزمایشات نشان داد افزایش زمان قرارگیری نانوسیال در معرض میدان مغناطیسی تأثیر کاهش ویسکوزیته نانوسیال را بیشتر میکند.

کلمات کلیدی:

ویسکوزیته نانوسیال مغناطیسی، میدان مغناطیسی، ویسکومتر لوله مویین ، فروفلویید

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/507211/