بررسی رفتار خوردگی پوشش نانو کریستالی Ni/Co رسوب الکتریکی در محیط 3/5% وزنی NaCl
Publish place: 11th Congress of the Iranian Metallurgical Society
Publish Year: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,073
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CIMS11_350
تاریخ نمایه سازی: 24 اردیبهشت 1387
Abstract:
در این تحقیق پوشش نانوکریستالی آلیاژی دوتایی Ni/Co از حمام واتز در دو وضعیت بدون ساخارین و حاوی 1g/lit ساخارین توسط جریان مستقیم بر روی زمینه فولاد ساده کربنی ایجاد شد. پوشش دهی در چگالی جریان های 104 و mA/cm² 12 انجام شد. با استفاده از آزمون تفرق اشعه ایکس، ضرایب بافت نمونه ها محاسبه شد، همچنین با استفاده از قانون شرر اندازه دانه ها نیز محاسبه گردید. از آزمون پلاریزاسیون تافل و پلاریزاسیون سیکلی برای بررسی رفتار خوردگی این پوشش در محیط 3/5% وزنی کلرید سدیم استفاده شد. نتایج آزمایشات نشان می دهند که افزودن ساخارین به حمام پوشش دهی موجب کاهش اندازه دانه ها و کاهش شدت بافت حاصل در پوشش می شود. در غیاب ساخارین بافت به صورت تک جزئی شامل صفحه {311} است که با افزایش چگالی جریان (104 mA/cm²) از {311} به {200} تغییر می یابد. نتایج آزمایشات خوردگی نشان داد که این تغییر چگالی جریان و در نتیجه تغییر بافت موجب بهبود مقاومت به خوردگی پوشش نانوکریستالی Ni/Co شد. در حضور ساخارین و در چگالی جریان (12 mA/cm²) یک بافت ضعیف مشاهده شد که عمدتا شامل صفحه {311} است و با افزایش چگالی جریان به 104 mA/cm² تغییری در آن مشاهده نشد. این مطلب با عدم تغییر سرعت خوردگی تصدیق شد.
Keywords:
Authors
شکرالله حسنی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشکده مهندسی مواد - دانشگاه صنعتی اصفهان
کیوان رئیسی
استادیار دانشکده مهندسی مواد - دانشگاه صنعتی اصفهان
محمدعلی گلعذار
استاد دانشکده مهندسی مواد - دانشگاه صنعتی اصفهان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :