مهندسی ساختار گیت ترانزیستورهای اثر میدانی بدون پیوند مبتنی بر گرافین

در این مقاله ساختار جدیدی برای ترانزیستور اثرمیدانی ماسفتی بدون پیوند مبتنی بر نانولوله کربنی ارائه شده است که در آن از 2 گیت ماده ای با توابع کار مختلف استفاده شده است. ساختار فوق اندازه گیت نزدیک سورس و درین به ترتیب ۱۴و ۶ نانومتر و توابع کار آنها برابر و ۰.۵ الکترون ولت کمتر نسبت به نانوله کربنی ذاتی انتخاب شده است. شبیه سازی در حالت بالستیک و با استفاده از روال تابع گرین غیر تعادلی NEGF) و در فضای مد انجام شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد، ساختار پیشنهادی از رفتار Ambipolar بهتر و جریان خاموشی کمتری نسبت به یک ساختار متداول بدون پیوند و با همان ابعاد بهره می برد. همچنین در ساختار فوق اثر حامل داغ با توجه به کاهش میدان الکتریکی در سمت درین کاهش یافته و با توجه به ایجاد یک پیک در منحنی میدان الکتریکی در ناحیه اتصال دو گیت، کنترل گیت بر روی کانال افزایش خواهد یافت.

Keywords:

ترانزیستور اثرمیدانی , بدون پیوند , نانو لوله کربنی