آرام قادری - گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد سنندج، دانشگاه آزاد اسلامی واحد سنندج، ایران
سیدمسعود علیزاده معصومیان - موسسه آموزش عالی اقبال لاهوری، مشهد، ایران

در این مقاله، یک مدل ساده برای محاسبه ویژه مقادیر و ویژه بردارهای دستگاه هامیلتونی با ساختار بالک و نیمه هادی InGaAsP بررسی شده است. برای توصیف دقیق سیستم، ساختار نوار حفره ها را با استفاده از هامیلتونی لوتینگر- کوهن در حضور تنش بررسی گردیده است. تنش باعث تغییرات در ساختار نواری می شود. تحت یک تنش مثبت نوار حفره های سنگین به بالای نوار حفره های سبک انتقال پیدا می کنند، مادامی که تحت تنش منفی رفتار سیستم کاملاً برعکس عمل می کند که این تغییرات محاسبه گردیده شده است.

تقویت کننده نوری نیمه هادی، تنش، جرم مولی، هامیلتونی