مسعود پورغلام - دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک، دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل
بهرام عزیزالله گنجی - دانشیار و عضو هیات علمی دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل،

بررسی تاثیر تغییر ضخامت اکساید گیت بر روی جوانب عملکردی MOSFET می تواند دید الگوی مناسبی در زمینه طراحی المان های ترانزیستوری ارائه دهد. علاوه بر tV، oxC نیز به ضخامت اکساید وابسته است. در این مقاله ابتدا به بررسی ولتاژ آستانه و رابطه آن با ضخامت اکساید پرداخته خواهد شد. سپس رابطه جریان درین بر حسب ضخامت اکساید خواهد شد. مدل بدست آمده رابطه ایی خواهد بود بین جریان درین - سورس و ضخامت اکساید گیت. نتیجه حاصل یک رابطه غیر خطی و سهمی گون بین جریان درین و ضخامت اکساید را نشان می داد. به منظور اطمینان صحت مدل بدست آمده و بررسی دقیق تر، پارامترهای یک MOSFET به صورت کمی طراحی شد. این MOSFET به کمک نرم افزار COMSOL شبیه سازی شد، مدل بدست آمده نیز با نرمافزار MATLAB به صورت عددی تحلیل شد. در نهایت داده های خروجی با هم مقایسه شدند که صحت مدل ریاضی بدست آمده را تایید می کرد.

ضخامت اکسید گیت، جریان درین، ولتاژ آستانه، مدلسازی، MOSFET