بررسی اثر تغییرات دما و VDD بر روی نرخ خطای نرم سلول های SRAM 6T و SRAM 10T

توجه به کوچک تر شدن تکنولوژی در حافظه های SRAM و کاهش ولتاژ تغذیه به منظور کاهش توان مصرفی، حافظه ی SRAM یکی از حساس ترین قطعات در برابر خطای نرم به حساب می آید. نوترون های پر انرژی که از پرتوهای کیهانی منشع می گیرند و ذرات آلفایی که از مواد بسته بندی یا ناخالصی های رادیواکتیو مواد درون تراشه تششع می گردند با ایجاد بار در سیلیکون باعث ایجاد چنین خطایی می شوند. بررسی تحلیل نرخ خطای نرم در SRAM ها یکی از مهمترین پارامترهای قابلیت اطمینان مدار می باشد. در این مقاله برای بررسی و تحلیل نرخ خطای نرم، از روش محاسبه بار بحرانی استفاده می شود. در این روش با تزریق منبع جریان به گره ذخیره، بار بحرانی خازن گره های ذخیره، محاسبه می گردد. روش فوق با استفاده از نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. سپس تغییرات خطای نرم و بار بحرانی در ولتاژهای مختلف و دماهایمختلف مورد اندازه گیری و تحلیل قرار گرفته است. تحلیل و شبیه سازی نرخ خطای نرم برای دو مدل حافظه، SRAM شش ترانزیستوری و ده ترانزیستوری انجام شده است.

Keywords:

بار بحرانی , بیت اینترلیوینگ , خطای نرم , نرخ خطای نرم , SRAM