فاطمه دهقان نیری - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
بهزاد اسفندیارپور - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
محمد رضا کتابداری - آزمایشگاه اشعه ایکس واحد اکتشاف سازمان انرژی اتمی.
شمس الدین مهاجرزاده - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک

در این مقاله ساختارهای Ti/Cu و Mo/Cu با مقاومت تماس اهمی بسیار پایین برروی مولتی کریستال سیلیکون لایه نشانی شده است. لایه نشانی با بیم الکترونی در شرایط خلأ بسیار بالا انجام شده و برای رسیدن به یک تماس اهمی مناسب نمونه ها در دماهای مختلف گرمادهی شده اند. تأثیر ضخامت، زمان و دمای گرمادهی روی کیفیت تماس اهمی این ساختارها بررسی شده است .مقاومت تماس حاصل برای ساختارهای Mo و Ti به ترتیب (در متن اصلی موجود می باشد) می باشد. در نهایت با مقایسه بین نتایج بدست آمده ساختار Mo/Cu به عنوان تماس اهمی مناسب برای سلولهای خورشیدی مذکور انتخاب شده است.

تماس اهمی، ساختارهای Ti/Cu و ،Mo/Cu مقاومت تماس، مولتی کریستال سیلیکون.