بررسی تکنیکهای کنترل ترانزیستور نگهدارنده در گیتهای دومینو عریض در فناوری مقیاس نانو
Publish place: 3National Conference on Development of Civil Engineering, Architecture, Electricity and Mechanical in Iran
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 557
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DCEAEM03_005
تاریخ نمایه سازی: 22 آبان 1395
Abstract:
در این مقاله تکنیکهای مختلف مداری که برای کنترل ترانزیستور نگهدارنده در گیتهای دومینو عریض استفاده می شوند مورد بررسی و مقایسه قرار می گیرند. مدارهای مورد بررسی از لحاظ پارامترهای تاخیر، توان مصرفی، مصونیت در برابر نویز و سطح تراشه مصرفی با یکدیگر مقایسه می شوند. بدین منظور گیتهای دومینو عریض با استفاده از مدارهای مورد مطالعه پیاده سازی شدند تا مشخص شود کدامیک از طرحهای مداری کارایی بهتری دارد.گیتهای عریض با استفاده از نرم افزار HSPICE در تکنولوژی CMOS 16 نانومتر در تاخیر یکسان شبیه سازی شدند. نتایج شبیه سازیها برای گیتهای OR عریض نشان می دهند که تکنیک مداری دومینو سرعت بالا (HSD) نسبت به سایر مدارهای مورد بررسی بهترین عملکرد را دارد.
Keywords:
Authors
محمد آسیایی
استادیار گروه مهندسی برق،دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه دامغان، دامغان، ایران
کاظم مغانی
دانشجوی رشته مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه دامغان، دامغان، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :