محمد آسیایی - استادیار گروه مهندسی برق،دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه دامغان، دامغان، ایران
میلاد زنگویی - دانشجوی رشته مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه دامغان، دامغان، ایران

در این مقاله مدارهای دوخطی مختلف که برای تولید همزمان سیگنالهای مکمل در خروجی استفاده می شوند مورد بررسی و مقایسه قرار می گیرند. مدارهای مورد بررسی از لحاظ پارامترهای تاخیر توان مصرفی مصوونیت در برابر نویز وسطح تراشه مصرفی با یکدیگر مقایسه می شوند. بدین منظور گیتهای دومینو عریض با استفاده از مدارهای مورد مطالعه پیاده سازی شدند تا مشخص شود کدامیک از طرحهای مداری کارایی بهتری دارد.گیتهای عریض با استفاده از نرم افزار HSPICE در تکنولوژی CMOS 16 نانومتر در تاخیر یکسان شبیه سازی شدند. نتایج شبیه سازیها برای گیتهای OR عریض نشان می دهند که تکنیک مداری EDCVS نسب به سایر مدارهای مورد بررسی بهترین عملکرد را دارد.

مدارهای دوخطی جریان نشتی گیتهای عریض مفونی در برابر نویز