Improvement of Efficiency of a triple junction InGaP/GaAs/Ge solar cell by CdS anti reflector layer
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 517
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IRCEM01_189
تاریخ نمایه سازی: 25 آذر 1395
Abstract:
The structure and performance parameters of a triple junction InGaP/GaAs/Ge solar cell including a CdS antireflection top layer are studied and optimized using Silvaco ATLAS software to obtain maximum possible value of efficiency .At first multi-junction solar cells with high efficiency are designed for specific applications like satellites and spatial discovering, but currently, they are the lowest cost selection for using in Terrestrial concentrator. Moreover, photovoltaic is a technology and research area that is related to the solar cells application in a electricity generation for practical using, where an optimum efficiency of ۴۲.۸۱% is achieved.
Keywords:
Authors
Javad Karamdel
Electronics Department, Faculty of Engineering, Islamic Azad University- South Tehran Branch, Iranj-karamdel@azad.ac.ir
Bita Farhadi
Young Researchers and Elite Club, Kermanshah Branch, Islamic Azad University- Kermanshah Branch, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :