تحلیل و بررسی چند روش بهینه سازی سلول های 6T-SRAM متداول
عنوان مقاله: تحلیل و بررسی چند روش بهینه سازی سلول های 6T-SRAM متداول
شناسه ملی مقاله: AIHE10_131
منتشر شده در سومین کنفرانس ملی توسعه علوم مهندسی در سال 1395
شناسه ملی مقاله: AIHE10_131
منتشر شده در سومین کنفرانس ملی توسعه علوم مهندسی در سال 1395
مشخصات نویسندگان مقاله:
شکوفه نقی زاده - دانشجوی کارشناسی ارشد موسسه آموزش عالی روزبهان،
محمد غلامی - استادیار دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه مازندران
خلاصه مقاله:
شکوفه نقی زاده - دانشجوی کارشناسی ارشد موسسه آموزش عالی روزبهان،
محمد غلامی - استادیار دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه مازندران
حافظه های استاتیکی مهترین قسمت های مدارات دیجیتال هستند و با پیشرفت روز افزون مدارات دیجیتال، یکی از بحثهای تحقیقاتی روز ارائه ی طرح های بهینه از حافظه های استاتیکی است. از حافظه های استاتیکی به منظور ایجاد حافظه های نهان استفاده می شود و با توجه به نیاز حافظه هاینهان به زمان دسترسی فوق العاده پایین، بنابراین طراحی SRAM هایی با سرعت زیاد بسیار اهمیت پیدا می کند. همچنین به علت درخواست های بالایدستگاه های قابل حمل، مصرف توان یکی دیگر از محرک های پشت ارائه طرح های بهینه از سلول های متداول SRAM است. همچنین به طرح هایی نیازداریم که قابلیت اطمینان را در عملیات نوشتن، خواندن و نگهداری داده ها را افزایش دهد. در طراحی SRAM جنبه های زیادی وجود دارد، این موارد بخشی از نیازهای هستند که باید در طراحی های جدید در نظر گرفته شوند. این مقاله با تکیه بر این نیازها به تحلیل و بررسی چند روش جدید بهینه سازی سلول های 6T-SRAM متداول می پردازد.
کلمات کلیدی: حافظه های استاتیکی، 6T-SRAM ، کاهش توان مصرفی، جریان نشتی، بایاس بدنه
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/543706/