بهره بردن ازنیمه هادی GaN درطراحی ترانزیستورهای HEMT
Publish place: Third National Conference on Engineering Science Development
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 832
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
AIHE10_168
تاریخ نمایه سازی: 5 بهمن 1395
Abstract:
تکنولوژی نیمه هادی نقش مهمی درزندگی روزمره ایفا می کند قطعات مبتنی برنیمه هادی های گروه 3 به ویژه نیمه هادی GAN به دلیل خواص ذاتی ماده نوید قطعاتی با قدرت بالا فرکانس بالا و توان مصرفی پایین را میدهد یکی ازانواع ترانزیستورهای اثرمیدانی ترانزیستورهای باتحرک الکترون بالا High electron mobility transistor (HEMT) می باشد هدف ازساخت HEMT ها استفاده ازآنها درکاربردهای فرکانس و بهره بالا ازقبیل تلفن های همراه تجهیزات رادار گیرنده های تلویزیون های ماهواره ای و مایکروویو می باشد دراین مقاله شبیه سازی ترانزیستور AlGaN/GaN HEMT بااستفاده ازنرم افزار Silvaco اورده شده است
Keywords:
گالیوم /نیترید/نیمه هادی /گاف انرژی /HEMT , Silvaco
Authors
حسن محمدی
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک موسسه آموزش عالی آیندگان، تنکابن،ایران
محمد کاظم انوری فرد
استادیارگروهعلوم مهندسی،دانشکده فنی ومهندسی شرق گیلان،دانشگاهگیلان، رودسر واجارگاه، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :