ارائه مدل تحلیلی برای یک MASFET از جنس GaN برای کاربردهای توان و فرکانس بالا
Publish place: اولین مسابقه کنفرانس بین المللی جامع علوم مهندسی در ایران
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 456
This Paper With 10 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CCESI01_451
تاریخ نمایه سازی: 5 بهمن 1395
Abstract:
در سال های اخیر، توجه زیادی به موادی همچون GaN که دارای باند انرژی گاف پهن هستند به علت نرخ تولید حرارتی پایین آن و میدان شکست بالا برای استفاده بالقوه آن در کاربردهایی با توان زیاد، دمای بالا، و فرکانس های میکروویو، جلب شده است. در این پژوهش، مدل های تحلیلی پتانسیل کانال های یک و دو بعدی برای مسفت های GaN با طول کانال زیاد بر اساس حل معادله پویسن ارائه می شود. مدل تحلیل پتانسیل کانال ارائه شده می تواند با اندکی تغییرات و فرضیات برای کسفت های با طول کانال کوتاه مورد استفاده قرار گیرد. مدل های تحلیلی برای مشخصات I-V و C-V مسفت GaN نیز با نظر به اثر مقاومت پارازیتی و تعدیلات طول گیت ارائه می شود. این مدل ترارسانایی و منحنی نویز بهینه را ارزیابی می کند. مدل ارائه شده در این پژوهش جهت درک عملکرد قطعه در ناحیه نانومتر برای کاربردهای آینده بسیار مفید خواهد بود.
Keywords:
Authors
رقیه فرشاد
دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
سیدصالح قریشی
دکترای برق الکترونیک، استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
حبیب الله آدرنگ
دکترای برق الکترونیک، استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :