بررسی تاثیر تغییر ساختار و ناهمواری لبه های نوار گرافن بر روی مشخصه جریان - ولتاژ ترانزیستور اثر میدانی نوار گرافنی
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 715
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF02_038
تاریخ نمایه سازی: 5 بهمن 1395
Abstract:
در این مقاله ما قصد داریم با استفاده از شبیه سازی سه بعدی اتم های گرافن، نوار گرافنی میگویند که بر پایه حل سه بعدی معادله پواسون و شرودینگر با شرایط مرزی آزاد در تابع گرین در حالت نامتعادل می باشد . ما نشان خواهیم داد که ترانزیستورهای نوار گرافنی دارای عملکرد قابل مقایسه با ترانزیستورهای نانو لوله ای کربنی بوده، و تا حد زیادی تحت تاثیر عرض کانال و ناهمواری های لبه ها و همجنین ایاد تعییر شک در فاصله هوایی نوار گرافن می باشند .
Keywords:
نوار گرافن , نانو لوله کربنی , ترانزیستور اثر میدانی نوار گرافنی , ترانزیستور نانو لوله کربنی , مشخصه انتقالی , تابع نامتعادل گرین
Authors
محمدعلی اسکندری
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر ، گروه برق الکترونیک ، بوشهر ، ایران
محمد عروتی نیا
دانشکده علمی کاربردی پست و مخابرات تهران، گروه برق الکترونیک، تهران، ایران
زهیر کردرستمی
دانشکده مهندسی برق و الکترنیک دانشگاه صنعتی شیراز، گروه برق الکترونیک ، شیراز ، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :