بهینه سازی ساختار و مقاومت تماس اهمی Ni/Cu بر روی مولتی کریستال سیلیکون به روش الکتروشیمیایی
Publish place: 14th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,629
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE14_291
تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1387
Abstract:
در این مقاله، ساختار کم هزینه Ni/Cu به عنوان تماس اهمی بر روی مولتی کریستال سیلیکون به روش آبکاری الکتریکی لایه نشانی شده و مقاومت الکتریکی آن بهینه گشته است. نیکل با استفاده از حمام واتز بر روی n+-Si در مدت زمانهای 10، 20، 40 دقیقه لایه نشانی شده و برای کاهش مقاومت سطحی و مقاومت تماس، لایه ای از مس به روش آبکاری الکتریکی بر روی لایه نیکل قرار گرفته است. آنالیزهای SEM ،XRD و EDX به منظور بررسی ساختار بلوری، ساختار سطحی و عناصر تشکیل دهنده این لایه ها انجام شده است. پس از الگودهی نقاب مورد نظر برای اندازه گیری مقاومت تماس از روش مدل خط انتقال (Transmission Line Model (TLM استفاده شده و با گرمادهی در دمای 400درجه سانتیگراد مقاومت ویژه تماس 4/4 ضربدر 10 به توان 5- Ωcm² به دست آمده است که مقاومت تماس مناسبی برای کاربرد در سلولهای خورشیدی مبتنی بر مولتی کریستال سیلیکون می باشد.
Keywords:
Authors
رشید صفا ایسینی
آزمایشگاه
نگین معنویزاده
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
بهزاد اسفندیارپور
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
حسن غفوریفرد
دانشکده برق، دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلیتکنیک تهران)، تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :