سلول SRAM با توان کمتر و سرعت بیشتر برای کاربردهای توان پایین
Publish place: 14th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,735
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE14_317
تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1387
Abstract:
در این مقاله یک سلول حافظه SRAM با توان مصرفی کمتر و نیز سرعت بیشتر وحساسیت کمتر به نویز و با اندکی افزایش سطح ارائه می گردد. این تکنیک توان مصرفی سلول را مستقل از منطق ذخیره شده در آن کاهش می دهد. سلول جدید در تکنولوژی 45nm شبیه سازی شده است. در مقایسه با سلول SRAM متداول، طراحی جدید جریان نشتی گیت را بیش از 26 % وتوان حالت Standby را 37 % برای ضخامت اکسید 1/4nm کاهش می دهد. سرعت دستیابی در طراحی جدید برای عملیات خواندن 8/8% بهبود یافته در حالی که سرعت نوشتن بدون تغییر می ماند.
Keywords:
Authors
سید قاسم رضوی پور
مرکز تحقیقات برق، دانشگاه صنعتی امیرکبیر
سید احمد معتمدی
مرکز تحقیقات برق، دانشگاه صنعتی امیرکبیر
علی افضلی کوشا
آزمایشگاه نانو سیستمهای توان پائین سرعت بالا، دانشکده مهندسی برق و ک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :