On the Effect of Scattering on the Performance of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors

Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 1,132

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE14_320

تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1387

Abstract:

Based on the non-equilibrium Green's function formalism the performance of carbon nanotube eld-effect transistors has been studied. The effects of elastic and inelastic scattering on the device performance have been investigated. The results indicate that elastic scattering has a more detrimental effect on the device characteristics than inelastic scattering. Only for short devices the performance is not affected because of the long mean free path for elastic scattering.

Authors

Mahdi Pourfath

Institute for Microelectronics, Technische Universit ¨at Wien

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • P. Qi, A. Javey, M. Rolandi, Q. Wang, E. Yenilmez, ...
  • R. Saito, G. D. Dresselhaus, and M. S. Dresselhaus, Physical ...
  • M. Radosavlj evic, J. Appenzeller, P. Avouris, and J. Knoch, ...
  • A. Javey, J. Guo, D. B. Farmer, Q. Wang, E. ...
  • A. Javey, R. Tu, D. B. Farmer, J. Guo, R. ...
  • S. Heinze, J. Tersoff, R. Martel, V. Derycke, J. Appenzeller, ...
  • A. Javey, J. Guo, Q. Wang, M. Lundstrom, and H. ...
  • M. Pourfath, A. Gehring, E. Ungersboeck, H. Kosina, S. Sel- ...
  • M. Pourfath, E. Ungersboeck, A. Gehring, B. H. Cheong, W. ...
  • R. Martel, V. Derycke, C. Lavoie, J. Appenzeller, K. K. ...
  • نمایش کامل مراجع