بازبینی تئوری تحلیل توزیع حاملهای باردرپیوند p-n در شرایط تعادل به کمک شبیه سازی عددی وارایه مدل پارامتری جدید برای کاهش خطا در محاسبه بار پیوند

Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,161

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE14_321

تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1387

Abstract:

توزیع حاملهای بارالکتریکی پیوند p-n درشرایط تعادل بررسی شده است.مدل پله ای به کار رفته در روش تقریب لایه تهی پیوستگی مشتق توزیع حاملهای بار در محل پیوند رابه درستی نشان نمی دهد از طرفی قادر به محاسبه دقیق ولتاژالکتریکی وبار الکتریکی پیوند به طور همزمان نمی باشد.این موضوع با محاسبه خطا در میزان بار از طریق تحلیل معادلات حاکم بر توزیع حاملها وشبیه سازی معادله دیفرانسیلی توزیع حفره ها نشان داده شده است.در این مقاله معادله دیفرانسیلی توزیع حامل ها با تقریب حل شده است و مدل پارامتری جدیدی به کمک تعریف ناحیه تغییرات (Transition Region) حاصل شده است.در این مدل از یک سو پیوستگی توزیع حاملها رعایت می شود و از سوی دیگر میزان خطا در پیش بینی بار پیوند کاهش می یابد .

Authors

محمدامین زارعیان

دانشکده مهندسی برق ,دانشگاه صنعتی شریف , تهران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • م.ا.زارعیان , "بررسی پیوند p-n بدون تقریب لایه تهی" پایان ...
  • B.G. Streetman, Solid State Electronic Device, _ Englewood Cliffs, NJ: ...
  • W. Shockly, Electorns and Holes in ...
  • S emi conductors _ Princeton, NJ:Van Nostrand, 1950. ...
  • J. Lindmayer and C. Y. Wrigley, Fundamentals of S emic ...
  • E. M. Buturla. P. E Cottrell, B. M. Grossman, and ...
  • S emiconductor devices:The FIELDAY program, IBM J. Res. Develop.., vol. ...
  • S.E. Laux and K. Hess, *Revisiting the Analytic Theory of ...
  • H.R.Pota, 40A New Derivation of the Law of the junction ...
  • نمایش کامل مراجع