Fabrication of 100nm Gate length MOSFET’s using a novel carbonnanotube- based nano-lithography

Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 1,739

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICEE14_322

تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1387

Abstract:

PECVD-grown carbon nanotubes on (100) silicon substrates have been studied and exploited for electron emission applications. After the growth of vertical CNT's, the grown nano-tubes are encapsulated by means of an insulating TiO2 layer, leading to beamshape emission of electrons from the cathode towards the opposite anode electrode. The electron emission occurs using an anode-cathode voltage of 100 V with ability of direct writing on a photo-resist coated substrates. Straight lines with widths between 50 and 200nm have been successfully drawn. This technique has been applied on P-type (100) silicon substrates for the formation of the gate of N-MOSFET devices. The successful realization of MOSFET devices indicates its usefulness for applications in nano-electronic devices. This device has inversion COX exceeding 0.7μF/cm2, drive current equal to 310μA/μm.

Authors

J. Derakhshandeh

Thin Film Lab Univ. of Tehran

M. BeikAhmadi

Thin Film Lab Univ. of Tehran

K. Baghbani

Thin Film Lab Univ. of Tehran

Y. Abdi

Thin Film Lab Univ. of Tehran

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Y. Abdi, J. Koohsorkhi, J. D erakh shandeh, S. Mohaj ...
  • M.D. Robertson and C. Benet، ،PECVD -grown Carbon- nano- tubes ...
  • A. Javey, Q. Wang, A. Ural, Y. Li, H. Dai, ...
  • J. Koohsorkhi, H. Ho sseinzadegan, S. Mohaj erzadeh and M. ...
  • P. McEuen, M. Fuhrer, H. Park; IEEE Trans. on Nano ...
  • H. Hesamzadeh, B. Ganjipour, S. Mohaj erzadeh, a. Khodadadi, Y. ...
  • B. Arvan, A. Khakifirooz, R. Tarighat, S. Mohaj erzadeh, A. ...
  • Bin Yu, et al, ?15nm gate length planar CMOS transistor, ...
  • C.C. Wu, Y.K. Leung, et al, ،0A 90nm CMOS device ...
  • Robert Chau, Jack Kavalieros, et al, *30nm Physical Gate Length ...
  • A. Chatterjee, R.A. Chapman, et al , Sub- 1OOnm Gate ...
  • T. Ghani, et al, ،100nm Gate Length High P erformanc ...
  • Henk w. Ch. Postman, Tijs Teepen, Zhen Yao. Melena Grifoniu, ...
  • نمایش کامل مراجع