اسما ترک زاده ماهانی - دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق-الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمان
پیمان کشاورزیان - استاد یار دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمان، گروه کامپیوتر

تمام جمع کننده ها بخش های بنیادی مدارهای مجتمع هستند که بسیاری از مدارات پردازش گر و حسابی می توانند با به کار بردن این سلول ها اجرا شوند.سرعت و مصرف توان پارامترهای مهمی در مدارات گفته شده به شمار می روند ،بنابراین روند پیاده سازی و ساخت مدارهای دیجیتال به واسطه کاهش مصرف توان و افزایش سرعت در تمام جمع کننده ها تحت تاثیر قرار می گیرد. در این مقاله ترانزیستورهای اثرمیدانی نانو لوله کربنی را بخاطر خواص مکانیکی و الکترونیکی مهم شان از جمله تاخیر کمتر و مصرف توان کمتر، برای سلول تمام جمع کننده جدید معرفی می کنیم. سپس مدار پیشنهادی را با منابع ولتاژ گوناگون و در دماهای مختلف با شبیه ساز Hspice شبیه سازی می کنیم. نتایج شبیه سازی حاکی از آن است که در ترم های مصرف توان، تاخیر و PDP بهبود چشمگیری در مقایسه با مدارهای Ternary Full Adder به وجود آمده است.این مقدار بهینه برای تاخیر، توان مصرفی و PDP به ترتیب 97.07 و 60.45 و 98.82 درصد می باشد.

ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی، CNTFET ، تمام جمع کننده