اسما ترک زاده ماهانی - دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق-الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمان
پیمان کشاورزیان - استاد یار دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمان، گروه کامپیوتر

در این مقاله مدارات حسابی دیجیتال که در کاربردهای VLSI جایگاه بسیار مهمی دارند از جمله NOR و NAND دو ورودی با بهره گیری از ترانزیستورهای تک الکترون طراحی و پیاده سازی شده اند. مدارات پیشنهاد شده به صورت ترکیبی از SET و CNTFET می باشند و توان مصرفی و انرژی بهینه ای دارند. به علاوه توان مصرفی، تاخیر انتشار و انرژی مصرفی مدارات پیشنهاد شده را با خازن های بار، ولتاژها و دماهای مختلف ارزیابی نموده و مشخصه انتقالی ولتاژ مدارات و گین ولتاژ آنها را بررسی می نماییم. شبیه سازی ها به کمک شبیه ساز HSPICE و تکنولوژی CNT٣٢nm انجام شده اند. نتایج شبیه سازی حاکی از آن است که کارهای پیشنهادی توان، تاخیر، انرژی مصرفی و گین ولتاژ بسیار مطلوبی داشته و در ترم سرعت سوئیچینگ هم عملکرد بسیار خوبی دارند.

ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی، CNTFET، SET ، VTC