تعیین مشخصه I-V در ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافنی
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 579
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NPECE01_229
تاریخ نمایه سازی: 6 بهمن 1395
Abstract:
در این مقاله شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافنی با هدف تحلیل کارایی و بهبود آن مورد نظر می باشد در این راستا مدلی جهت شبیه سازی مشخصه I-V ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافنی پیشنهاد می گردد و درستی مدل پیشنهادی مورد بررسی قرار خواهد گرفت همچنین به منظور بهبود عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافنی اثر تغییر یکی از پارامترها بر روی مشخصه I-V با استفاده از مدل پیشنهادی و به کمک نرم افزار متلب و کد Fettoy مورد تحلیل قرار خواهد گرفت
Keywords:
Authors
فاطمه ارمی
کارشناس برق الکترونیک واحد رشت دانشگاه آزاد اسلامی رشت ایران
سید علی صدیق ضیابری
دکترای برق الکترونیک واحد رشت دانشگاه آزاد اسلامی رشت ایران