ثمین فدایی - دانشگاه کاشان دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر گروه الکترونیک
محمود نیکوفرد - دانشگاه کاشان دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر گروه الکترونیک

در این مقاله یک مشدد حلقوی با استفاده از فناوری پلاسمونیکی هیبریدی بر روی زیر لایه InP طراحی و تحلیل شده است در ابتدا ساختار لایه ی موجبر هیبریدی پلاسمونیکی و عایقی متناظر تعریف شده و مد اصلی آن محاسبه شده اند سپس موجبر خمیده با زاویه خم 90 تحلیل گردیده و انتقال توان بر حسب شعاع خم برای موجبر هیبریدی پلاسمونیکی محاسبه گردیده است در آخر یک مشدد حلقوی متشکل از یک موجبر مستقیم و یک حلقه تحلیل گردیده است و پاسخ طیفی محدوده طیفی ازاد و پهنای کامل در نصف ماکزیمم توان بر حسب شعاع خم ضخامت لایه پوششی و شکاف بین موجبر مستقیم و حلقه در پنجره طول موج مخابراتی 1.55μm محاسبه شده اند

مشدد حلقوی،موجبرهای پلاسمونیکی،هیبریدی،مواد .InP