محمدرضا سلیمانی فارسانی - مربی حقالتدریس دانشگاه فنی و حرفه ای پسران شهرکرد
روح الله اردشیری لردجانی - دانشجوی کارشناسی ارشد،دانشکده برق،دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

در این مقاله سعی بر آن شده است که یک رابطه برای محاسبه مقدار موثر مقاومت بدنه ترانزسیتورهایPD SOI MOSFET در مقیاس 54 نانومتر مطرح شود. ابتدا با استفاده از محیط شبیه سازی ISE-TCAD یک ترانزیستور با کانال نوع P شبیهسازی نموده و با اعمال بایاس به پایه های آن و رسم منحنی مشخصه جریان- ولتاژ این ترانزیستور پرداخته ایم سپس پارامترهای مهم مربوط به هر کدام نواحی سورس، درین، گیت و سطح زیر بدنه را با استفاده از این نرم افزار استخراج نموده و بهبیان رابطه ای ریاضی برای محاسبه مقدار موثر مقاومت بدنه بر حسب متغییرهای پتانسیل بدنه و طول کانال، بیان می گردد. در نهایت با استفاده از نرم افزارMATLABاین مقاومت را محاسبه نموده ایم

PD SOI MOSFET