سیدمصطفی منوری - دانشجوی کارشناسی ارشد فیزیک ماده چگال،
فرح مرصوصی - استادیار و عضو هیئت علمی دانشگاه صنعتی امیرکبیر،

در این مقاله تاثیرات اندازه و جهتگیری رشد بر خواص اپتوالکترونی نانوسیم الماس اشباع شده، به روش نظریهی تابعی چگالی و حل معادلهی کوهن-شم با در نظر گرفتن تقریب چگالی موضعی LDA بررسی شده است. نانوسیمها از نوع استوانهای بوده و سطح جانبی آنها توسط اتمهایهیدروژن، اشباع شده است. گافهای اپتیکی محاسبه شده بعلت بوجود آمدن ترازهای سطحی از گاف الماس حجیم، کوچکتر است. همچنینمشخص شد گافهای اپتیکی و چگالیحالات الکترونی نانوسیمهای رشد یافته در جهت صفحهی ) 111 ( به دلیل کاهش اثر حبس کوانتومی با افزایش اندازهی مقطع نانوسیم، کاهش مییابند

نانوسیم الماس، نظریهی تابعی چگالی، گاف اپتیکی، حبس کوانتومی