غزال ذوالفقاری - گروه مهندسی برق - الکترونیک، پردیس علوم و تحقیقات دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران
حجت اله خواجه صالحانی - گروه مهندسی برق - الکترونیک، واحد دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران

در این مقاله ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای InAs با استفاده از مدل انتقال رانش نفوذ در محیط نرم افزار سیلواکو شبیه سازی شده است. اثر جنس گیت ترانزیستور بر مشخصه های جریان ولتاژ آن مورد بررسی قرار گرفته شده است. نتایج نشان می دهند که برای گیت از جنس مواد عنصری بیشترین اندازه جریان و رسانندگی مربوط به ژرمانیوم می باشد در صورتی که برای گیت از جنس مواد مرکب بهترین نتیجه مربوط به ماده GaN می باشد.

اثر میدانی، نانوسیم، مدل انتقال، سیلواکو، ژرمانیوم