حسین رستمی نجف آبادی - دانشجوی کارشناسی ارشد دانشکده مهندسی مکانیک دانشگاه صنعتی شریف تهران ایران
حسن صیادی - استاد دانشکده مهندسی مکانیک دانشگاه صنعتی شریف تهران ایران
محمدامین عسکری فر سنگی - دانشجوی دکتری دانشکده مهندسی مکانیک دانشگاه صنعتی شریف تهران ایران

در سیستم های کاربردی برداشت انرژی با آلیاژ حافظه دار معناطیسی اعمال تنش فشاری به یک قطعه از آلیاژ که در فاصله هوایی هسته فرومغناطیسی با میدان بایاس قرار گرفته است شار عبوری از مسیر هسته را تغییر میدهد واین تغییرات شار توسط یک سیم پیج برداشت کننده به ولتاژ توسط یک سیم پیج برداشت کننده به ولتاژ تبدیل میشود در این مقاله برای مدلسازی این سیستم ها یک مدل ساختاری پایه ترمودینامیکی مناسب پیش بینی رفتار آلیاژ حافظه دار مغناطیسی درکرنش های مختلف انتخاب شده و سپس با مدل مدار مغناطیسی و الکتریکی سیستم برداشت انرژی کوپل میشود در ادامه اثر تغییر هر یک از پارامتر های مدار الکتریکی مصرف کننده مدار مغناطیسی برداشت کننده و منبع ارتعاشی روی انرژی برداشتی بررسی میشود نتایج شبیه سازیها نشان میدهد که بیشترین توان درمدار الکتریکی زمان به بار مقاویتی مصرف کننده تحویل میشود که تعداد دور سیم پیج برداشت کننده مقاومت الکتریکی و خازن دارای مقادیر مشخص باشند که این مقادیر وابسته به سایر پارامتر های سیستم هستند از سوی دیگر در مدار مغناطیسی کاهش فاصله هوائی تا هوا که مانع کرنش جانبی قطعه نشود میتواند توان برداشتی را افزایش دهد زیاد شدن گذردهی مغناطیسی ابتدا توان برداشتی را باشیب زیادی افزایش میدهد ولی در مقادیر بالاتر این شیب کاهش یافته و به صفر نزدیک میشود در مورد میدان مغناطیسی انتخاب میدان بایاس در محدود 0/4 تسلا میتواند توان برداشتی را بطور قابل ملاحظه ای زیاد کند برای ارتعاشات اعمالی به آلیاژ افزایش فرکانس و دامنه بطور کلی توان را افزایش میدهند ولی در فرکانس مشخصی خازن باعث تشدید الکتریکی شده و توان را بطور قابل توجهی در آن توجهی در آن فرکانس زیاد میکند با استفاده از این نتایج میتوان مقادیر بهینه هر یک از پارامتر ها را در شرایط عملکرد مورد نظر بدست آورد و در طراحی و ساخت سیستم های برداشت انرژی با این مکانیز م بکار برد

آلیاژ حافظ دار مغناطیسی ،برداشت انرژی ،بهینه سازی ،مدار مغناطیسی مدار الکتریکی