سمیه عمرانی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
فرحناز ذاکریان - دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
مجید پوراحمدی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

با توجه به اینکه تکنولوژی به سمت کمتر شدن حجم می رود هدف از انجام این مقاله استفاده از این مواد در ادوات نیمه هادی مورد استفاده در مدارهای مجتمع مانند ترانزیستور است. بر خلاف گرافن، باند گپ پایین (1-ev2) موجود در لایه های نیمه هادی مولبیدن دی سولفات که بوسیله مهندسی موبیلیتی آن افزایش یافته است یک جذابیت دست یافتنی برای استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان مولبیدن دی سولفات تک لایه با لایه عایق اضافی high-K است که می تواند محدودیت های تجاری سازی آنرا توجیه کند.

خواص الکترونیکی، سیلیسن، MoS2 تک لایه، Si/MoS2