اثرات میدان الکتریکی بر نانونوارهای MoS2 آرمیچر/ دوپایه ای
Publish place: The first national conference on electrical engineering of the Young and Elite Researchers Club
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 536
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BPJCEE01_133
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1395
Abstract:
در این مقاله محاسبات آغازین نظریه تابعی چگالی به منظور بررسی ساختار الکترونیکی نانونوارهای آرمیچر/دو پایه ای MoS2 در شرایط حضور یک میدان الکتریکی استاتیک/ ایستا خارجی اجرا می شوند. در واقع چنین نانونوارهایی که غیر مغناطیسی و نیمه هادی بوده مجموعه ای از حالات لبه ای با اندر کنش ضعیف ارائه داده که موقعیت انرژی آنها شکاف نوار سیستم مورد نظر را تعیین می کند. در اینجا نشان داده شده که از طریق اعمال یک میدان الکتریکی عرضی خارجی Eext می توان شکاف / باند انرژی نانونوارها را به میزان قابل توجهی کاهش داده و در نتیجه به یک حالت گذاری فلز - عایق فراتر از مقدار بحرانی معین دست پیدا کرد. لازم به ذکر است که حضور چگالی بالایی از حالات در سطح فرمی حول حالت گذرا فلز - عایق منجر به آغاز پدیده فرومغناطیس stoner شده که قابلیت مدوله کردن و حتی کنترل آن توسط Eext نیز وجود دارد. در صورت استفاده از نانونوارهای دولایه ای نشان داده شده که با اعمال میدان عرضی می توان شکاف / باند انرژی را از حالت غیر مستقیم به حالت مستقیم تغییر داد.
Keywords:
Authors
محمد شمسی پور
دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
فرحناز ذاکریان
دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
مجید پوراحمدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :