محمد شمسی پور - دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
فرحناز ذاکریان - دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
مجید پوراحمدی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

در این مقاله محاسبات آغازین نظریه تابعی چگالی به منظور بررسی ساختار الکترونیکی نانونوارهای آرمیچر/دو پایه ای MoS2 در شرایط حضور یک میدان الکتریکی استاتیک/ ایستا خارجی اجرا می شوند. در واقع چنین نانونوارهایی که غیر مغناطیسی و نیمه هادی بوده مجموعه ای از حالات لبه ای با اندر کنش ضعیف ارائه داده که موقعیت انرژی آنها شکاف نوار سیستم مورد نظر را تعیین می کند. در اینجا نشان داده شده که از طریق اعمال یک میدان الکتریکی عرضی خارجی Eext می توان شکاف / باند انرژی نانونوارها را به میزان قابل توجهی کاهش داده و در نتیجه به یک حالت گذاری فلز - عایق فراتر از مقدار بحرانی معین دست پیدا کرد. لازم به ذکر است که حضور چگالی بالایی از حالات در سطح فرمی حول حالت گذرا فلز - عایق منجر به آغاز پدیده فرومغناطیس stoner شده که قابلیت مدوله کردن و حتی کنترل آن توسط Eext نیز وجود دارد. در صورت استفاده از نانونوارهای دولایه ای نشان داده شده که با اعمال میدان عرضی می توان شکاف / باند انرژی را از حالت غیر مستقیم به حالت مستقیم تغییر داد.

؛ MoS2 ، نانو ساختارهای دو بعدی، مغناطیس، اثر میدان الکتریکی