شبیه سازی و تحلیل عملکرد یک ترانزیستور نوری دوقطبی ناهمگون AlGaAs GaAs HBT با دوپینگ هر سه لایه
Publish place: همایش ملی مهندسی برق، الکترونیک، پزشکی و سرزمین پایدار
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,004
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELECTRICA03_022
تاریخ نمایه سازی: 5 اردیبهشت 1396
Abstract:
ترانزیستورهای نوری دوقطبی ناهمگون کاربردهای گسترده ای در مدارهای مجتمع الکترونیک نوری به عنوان سوییچ های نوری یا پیش تقویت کننده ها دارند. در این تحقیق شبیه سازی و تحلیل عملکرد یک ترانزیستور دو قطبی ناهمگون که به صورت آشکارساز نوری سه پایه کاربرد دارد ارایه می گردد. ساختار AlGaAs GaAs HBT شبیه سازی و با اعمال دوپینگ زیاد به امیتر و دوپینگ کم به بیس رفتار ترانزیستور بررسی می گردد.
Keywords:
ترانزیستور دوقطبی ناهمگون (HBT) , آشکار ساز نوری
Authors
عباس قدیمی
گروه مهندسی برق، واحد لاهیجان، دانشگاه آزاد اسلامی، لاهیجان، ایران
ناصر امینی
گروه مهندسی برق، موسسه آموزش عالی مهرآستان، آستانه اشرفیه، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :