عباس قدیمی - گروه مهندسی برق، واحد لاهیجان، دانشگاه آزاد اسلامی، لاهیجان، ایران
ناصر امینی - گروه مهندسی برق، موسسه آموزش عالی مهرآستان، آستانه اشرفیه، ایران

ترانزیستورهای نوری دوقطبی ناهمگون کاربردهای گسترده ای در مدارهای مجتمع الکترونیک نوری به عنوان سوییچ های نوری یا پیش تقویت کننده ها دارند. در این تحقیق شبیه سازی و تحلیل عملکرد یک ترانزیستور دو قطبی ناهمگون که به صورت آشکارساز نوری سه پایه کاربرد دارد ارایه می گردد. ساختار AlGaAs GaAs HBT شبیه سازی و با اعمال دوپینگ زیاد به امیتر و دوپینگ کم به بیس رفتار ترانزیستور بررسی می گردد.

ترانزیستور دوقطبی ناهمگون (HBT) ، آشکار ساز نوری