طیبه قدس الهی - دانشکده فیزیک دانشگاه شریف, تهران، مرکز تحقیقات فیزیک نظری وریاضیات, ت
محمدعلی وساقی - دانشکده فیزیک دانشگاه شریف, تهران، مرکز تحقیقات فیزیک نظری وریاضیات, ت
عزیزاله شفیع خانی - مرکز تحقیقات فیزیک نظری وریاضیات, تهران، دانشگاه الزهرا, تهران
پروین اولیایی - پژوهشگاه علوم و تکنولوژی هسته ای, تهران

لایه های نانو کامپوزیت مس- کربن به روش همز مان RF-PECVD, RF-Sputtering از گاز استیلن وهدف مس رشد داده ایم. فرایند رشد در ناحیه ای که با تغییر فشار محفظه فرایند به کندوپاش فیزیکی در توان ثابت و فشار بحرانی 1,5 تا 3 پاسکال تبدیل می شود, بررسی می شود. مقدار تخمینی انرژی متوسط یونها در این فشار بحرانی نزدیک به آستانه انرژی اسپاترینگ فیزیکی مس با یونهای استیلن است. با استفاده از این خاصیت و با تنظیم فشار اولیه از 1,3 تا 6,6 پاسکال لایه های نازک مس – کربن با محتویات مس متفاوت رشد داده ایم. محتویات مس این لایه ها با استفاده از پراکندگی راترفورد (RBS) واسپکتروسکپی امواج ایکس (XPS) تعیین شد. تصاویرمیکرسکوپ نیروی اتمی (AFM) و پراش امواج ایکس (XRD) بر تشکیل نانو ذرات مس دلالت دارند.