CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

شبیه سازی فرآیند لایه نشانی سیلیکن آمورف در راکتور PECVD و بررسی اثر فشار محفظه روی خواص لایه نشانده شده

عنوان مقاله: شبیه سازی فرآیند لایه نشانی سیلیکن آمورف در راکتور PECVD و بررسی اثر فشار محفظه روی خواص لایه نشانده شده
شناسه ملی مقاله: NCV03_014
منتشر شده در سومین کنفرانس ملی خلاء در سال 1386
مشخصات نویسندگان مقاله:

حسام ایلاتی - آزمایشگاه نانوالکترونیک ، دانشکده برق ، دانشگاه صنعتی شریف
میثم باوفا
بیژن رشیدیان

خلاصه مقاله:
در این نوشتار نتایج شبیه سازی فرآیند لایه نشانی سیلیکن آمورف به روش PECVD ارائه شده است و تاثیر فشار محفظه بر روی خواص لایه نشانده شده مورد بررسی قرار گرفته است. به منظور ارزیابی کیفیت و یکنواختی لایه نشانده شده دو معیار کیفی تعریف شده است. همچنین نرخ لایه نشانی سیلیکن آمورف در فشارهای کمتر از یک تور (شرایط متداول لایه نشانی) بر حسب موقعیت مکانی بر روی بستر و الکترود توان نشان داده شده است.

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/57236/