نرگس صادق بیگی - گروه فیزیک دانشگاه الزهرا(س) ، ونک، تهران
رضا ثابت داریانی

اندازه گیری مقاومت ویژه ویفرهای سیلیکان ( 111 ) نوع p,n به روش ون در پاو انجام شد. سپس به وسیله تبخیر اشعه الکترونی, یک لایه نازک از سیلیکان بر روی ویفر سیلیکان نشاندیم. با مقایسه نمودار ویفر سیلیکان با حالت لایه نشانی شده سیلیکان, مشاهده شد برای جریان های کمتر از 2 mA تفاوت آشکاری میان دو حالت وجود دارد که ناشی از لایه نازک سیلیکان می باشد.