جنبه های نظری و محاسباتی دانش نانو الکترونیک مولکولی

بر اساس دانش نانوالکترونیک و فناوری نانو میتوان به طراحی و ساخت هوشمند ریزادوات الکترونیکی جهت استفاده در مدارهای نانو پرداخت. در این راستا، میتوان از دانش نانوالکترونیک مولکولی (مانند الکترونیک تکمولکول) جهت طراحی بهینه و هوشمند سامانههای مولکولی اثرمیدانی (مانند نانوسیمهای مولکولی، کلیدهای مولکولی، حافظههای مولکولی و رایانههای کوانتومی) استفاده نمود. از این رو، در این پژوهش اثر میدان الکتریکی بر برخی از خواص دو سامانه مولکولیاثرمیدانی پیشنهادی، مطالعه و بررسی شد. تحلیل نتایج بدست آمده نشان داد که علاوه بر اوربیتالهای مرزی (HOMOوLUMO ،(سازوکار تغییر انرژی جنبشی الکترونی (K (و انرژی پتانسیل (V (اتمی- محلی (همچنین، برقراری و اعتبار قضیه ویریال 2=T V (-در سامانههای مولکولی مورد مطالعه، وابسته به خواص الکترونی و ارتعاشی این سامانهها میباشد. بعلاوه، اعمال میدان الکتریکی خارجی میتواند منجر به تغییر گسترش فضایی الکترونی (ESE (و توزیع (جدایی) بارهای اتمی این سامانههای مولکولی شود. انتظار میرود، با مطالعه اثرات اتمی- محلی میدانهای الکتریکی خارجی بر سامانههای مولکولی بتوان به پیشبینی کارایی قطعات مولکولی، قبل از قرارگیری در مدارهای نانوالکترونیک واقعی، پرداخت.

Keywords:

نانو الکترونیک مولکولی , شیمی فیزیک محاسباتی , قطعات مولکولی اثرمیدانی