محمد علی صادق زاده - گروه فیزیک، دانشگاه یزد
لیلا غریب شاهی
الهام ابوالحسنی

در این مقاله با پاشش پلاسمایی Ti بر روی سطح تمیز Si ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si اتصال فلز - نیمه رسانای Ti/Si به عنوان دریچه ایجاد گردید. در لایه آلیاژی این ساختار یک گاز حفره ای دو بعدی (2DHG) با چگالی سطحی ns وجود دارد و با اعمال ولتاژ مناسب به دریچه Vg میتوان چگالی آن را تغییر داد. با برازش نظری نتایج تجربی ns-Vg به محاسبه چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si پرداختیم. نتایج نشان می دهد که با افزایش ضخامت لایه Si پوششی از 180 به 480 نانومتر چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Siبه ترتیب از 4/6 ضربدر 10 به توان15 cm-2 به 1/95 ضربدر 10 به توان 15 کاهش می یابد.