فرید ستوده - استادیار دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی اراک، اراک
مسعود دوستی - دانشیار دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه آزاد اسلامی علوم و تحقیقات تهران ، تهران

قطعات ممریستیو معروف به عناصر حافظه دار شامل مقاومت های حافظه دار، خازن حافظه دار و سلف حافظه داردر مقیاس نانو قابل پیاده سازی بوده و به راحتی می توان رفتار آن ها را با مدارات الکترونیکی شبیه سازی کرد. در این مقاله مدل فیزیکی سلف حافظه دار از روی مدل فیزیکی مقاومت حافظه دار در نرم افزار (ADS(Advance Design System طراحی و شبیه سازی شده و در نهایت کاربرد آن در یک نمونه اسیلاتور ساز آشوب مبتنی بر سلف حافظه دار بررسی و شبیه سازی شده است.

ممریستور، نانو، مدل فیزیکی و ADS