فرید ستوده - استادیار دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی اراک، اراک
مسعود دوستی - دانشیار دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه آزاد اسلامی علوم و تحقیقات تهران ، تهران

مقاومت حافظه دار یا ممریستور که به عنوان چهارمین عنصر پایه بعد از مقاومت، خازن و سلف معرفی شده است، یکقطعه دو پایه است که در ابعاد مقیاس نانو میشود و مقاومت آن به دامنه، پلاریته و مدت زمان ولتاژ اعمالی به آنبستگی دارد. عناصر دیگری از خانواده عناصر حافظه دار نظیر خازن های حافظه دار و سلف های حافظه دار شناسایی وپیاده سازی شده اند. این المان ها که به قطعات ممریستیو معروف می باشند در مقیاس نانو قابل پیاده سازی بوده و بهراحتی می توان رفتار آنها را با مدارات الکترونیکی شبیه سازی کرد. در این مقاله ابتدا تکنولوژی ساخت و مدلفیزیکی خازن های حافظه دار بررسی شده است سپس از این المان در طراحی اسیلاتور هارتلی فرکانس بالا مبتنی برتکنولوژی ساخت 0.18 میکرون با رفتار آشوبناک استفاده شده است.

نانو، خازن حافظه دار، اسیلاتور هارتلی و تکنولوژی ساخت