اثر فعال سازی مکانیکی بر سینتیک واکنش نانو دی اکسید تیتانیوم با کربنات پتاسیم در شرایط غیر همدما
Publish place: 10th joint meeting of the 5th International Conference on Materials and Metallurgical Engineering Society and Iranian Foundry Society
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 499
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IMES10_126
تاریخ نمایه سازی: 6 اردیبهشت 1396
Abstract:
در این تحقیق سینتیک واکنش تکلیس کربنات پتاسیم )3CO2(K در حضور نانو دی اکسید تیتانیوم ( 2TiO ( و تاثیر فعال سازی مکانیکی به مدت 0 ، 3 ، 17 و 24 ساعت بر خواص کاتالیزوری پودر نانو دی اکسید تیتانیوم با فاز آناتاز و در نتیجه تاثیر آن برسینتیک واکنش تکلیس کربنات کلسیم مورد مطالعه قرار گرفته است. سینتیک این واکنش به وسیله آزمون آنالیز وزن سنجی حرارتی) TG ) به صورت غیر همدما و با سرعت گرمایش °C/min 10 بررسی شد. به منظور مشخصه یابی محصولات واکنش ازآزمون پراش پرتو X ( XRD ( برای آنالیز فازی و میکروسکوپ FE-SEM برای مشخصه یابی ریز ساختار استفاده شد. در ادامه برایبررسی سینتیک واکنش حالت جامد واکنش تکلیس کربنات پتاسیم در حضور پودر نانو دی اکسید تیتانیوم و همچنین تعیین مکانیزم واکنش از روش آنالیز سینتیکی کوتس-ردفرن استفاده شد. نتایج آنالیز سینتیکی، اثر فعال سازی مکانیکی بر سینتیک واکنش تکلیس کربنات پتاسیم را تایید کرد
Keywords:
Authors
سیدداود طاوسی
مرکز تحقیقات مواد پیشرفته، دانشکده مهندسی مواد، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
رضا ابراهیمی کهریزسنگی
مرکز تحقیقات مواد پیشرفته، دانشکده مهندسی مواد، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
حمیدرضا جوادی نژاد
مرکز تحقیقات مواد پیشرفته، دانشکده مهندسی مواد، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :