شبیه سازی CFD میدان جریان مغشوش در راکتورپلیمریزاسیون سوسپانسیونی PVC بندر امام خمینی
عنوان مقاله: شبیه سازی CFD میدان جریان مغشوش در راکتورپلیمریزاسیون سوسپانسیونی PVC بندر امام خمینی
شناسه ملی مقاله: NICEC12_225
منتشر شده در دوازدهمین کنگره ملی مهندسی شیمی ایران در سال 1387
شناسه ملی مقاله: NICEC12_225
منتشر شده در دوازدهمین کنگره ملی مهندسی شیمی ایران در سال 1387
مشخصات نویسندگان مقاله:
محمد حسن وکیلی - دانشکده فنی مهندسی ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد شهرضا
محسن نصر اصفهانی - دانشکده مهندسی شیمی ، دانشگاه صنعتی اصفهان
خلاصه مقاله:
محمد حسن وکیلی - دانشکده فنی مهندسی ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد شهرضا
محسن نصر اصفهانی - دانشکده مهندسی شیمی ، دانشگاه صنعتی اصفهان
میدان جریان مغشوش در راکتور ناپیوسته 200 متر مکعبی پلیمریزاسیون سوسپانسیونی وینیل کلراید بندر امام خمینی با استفاده از دینامیک سیالات محاسباتی (CFD) شبیه سازی شده است. برای این کار روش قابهای مرجع چندگانه (MRF) به کار رفته و برای حل معادلات جریان مغشوش از مدل k-ε و فرمولاسیون سرعت نسبی استفاده شده است. نتایج حاصل از شبیه سازی ها نشان می دهد که میدان جریان مغشوش در داخل راکتور غیرهمگن می باشد. این ناهمگنی با توجه به نرخ اتلاف انرژی جنبشی اغتشاش در سه منطقه از راکتور به طور مشخصی قابل مشاهده است. یک منطقه در اطراف همزن که دارای نرخ اتلاف انرژی اغتشاشی نسبتا بالایی است ، یک منطقه اطراف بافل ها که نرخ اتلاف انرژی اغتشاش در آن نسبتا بالاست و بالاخره یک منطقه در بین این دو منطقه ( توده سیال) که نرخ اتلاف انرژی در آن بسیار پایین است. نرخ اتلاف انرژی در دو منطقه همزن و بافل از یک مرتبه و مقدار متوسط آن در این دومنطقه به ترتیب برابر با 38/54m2/s3 و 26/74m2/s3 می باشد. نرخ اتلاف انرژی اغتشاش در توده سیال از مرتبه کوچکتر از دو منطقه دیگر و مقدار متوسط آن برابر با 0/973m2/s3 می باشد. با افزایش دور همزن مقادیر متوسط نرخ اتلاف انرژی اغتشاش در هر سه منطقه افزایش می یابد.
کلمات کلیدی: دینامیک سیالات محاسبات؛ جریان مغشوش؛ شبیه سازی؛ پلیمریزاسیون سوسپانسیونی؛ پلی وینیل کلراید
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/57919/