کاربرد فین فت ها در مدارهای آنالوگ

Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,250

This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

NCAEC02_037

تاریخ نمایه سازی: 7 اردیبهشت 1396

Abstract:

کاهش مقیاس تکنولوژی CMOS به ناحیه نانومتر وارد شده است و بنابر این FinFET ها با تکنولوژ های حاضر جایگزین شده اند، FinFET اثرات کانال کوتاه کاهش یافته، ترارسانایی بالاتر و ولتاژ زیر آستانه ایده آلی دارد. نظر به اینکه FinFET ها برای کاربردهای دیجیتال ایده آل هستند، آنها همچنین برای کاربردهای فرکانس رادیویی(RF) خطی، مانند مخابرات بی سیم، به دلیل قابلیت آنها به سروکار داشتن با مدولاسیون ترا هرتز بزرگ رقیب قدرتمندی خواهند بود. این مدارات منافع بزرگی بر حسب مساحت، توان و سرعت با استفاده از FinFET تحریک شده بطور مستقل، به دلیل تابع پذیری قابل تنظیم آن، فراهم می کنند. حالت تحرک شده بطور مستقل را می توان بکار برد تا ترانزیستورهای FinFET موازی را در مسیرهای غیر بحرانی ترکیب نمود و در نتیجه کاهش در اتلاف توان و خازن سوییچینگ موثر فراهم می شود. تنظیم پذیری FinFET ها بطور چشمگیری توسط طراحان آنالوگ پذیرفته نشده است از آنجایی که کارایی های FinFET ها در کاربردهای میکس نمودن RF منتشر شده اند. در این مقاله، بلوک های مداری آنالوگ مختلف با استفاده از FinFET ها تحقق داده می شود که گیت پشتی به منظور تنظیم نمودن مدارات استفاده خواهد شد. ما نشان خواهیم داد که چطور مدارات توان پایین فشرده شامل مدار تقویت کننده CMOS، مدار تقویت کنده ترارسانایی عملیاتی(QTA) و مدار تقویت کننده عملیاتی (op-amp) امکان ساخته شدن و تنظیم شدن را با استفاده از FinFET ها دارند.

Keywords:

مدارهای آنالوگ , فین فت ها , تقویت کننده CMIS , تقویت کننده ترارسانایی , تقویت کننده عملیاتی آنالوگ با فین فت

Authors

رمضان عاقبتی

دانشجوی ارشد، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری

جواد باعدی

استاد گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه حکیم سبزواری

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • nd Nationlal conference _ _ i1 _ atd conputer 7 ...
  • B. Yu, H. Wang, A. Joshi, Q. Xiang, E. Ibok, ...
  • H. S. P.Wong, Beyond the c onventionalM, SFET, " in ...
  • K. Suzuki, T. Tanaka, Y. Tosaka, H. Horie, Y. Arimoto, ...
  • Electronics, vol .3 7, no. 2, pp. 327-332, 1994. [4] ...
  • p arameter- dependent model for subthreshold swing S in double-gate ...
  • K. SuzukiandT. Sugii , Analytical models for n+-p+ double-gate SOIMOSFET ...
  • P. Beckett, +ow-power spatial computing using dynamic threshold devices, " ...
  • G. Pei and E. C. Kan, 4ndependently driven DG MOSFETs ...
  • IEEE Electron Device Letters, vol. 26, no. 9, pp. 664-666, ...
  • L .Mathew, Y. Du, A.V .heanetal. , sMOS vertical Multiple ...
  • S. Varadharajan and S. Kaya, Study of dual-gate SOIMOSFET as ...
  • C. H. Lin, P. Su, Y. Taur et al., circuit ...
  • 2] M .Masahara, Y _ Liu, K. Sakamotoetal , Bemon ...
  • T. Cakici, A. Bansal, and K. Roy, _ low power ...
  • A. Kumar, B. A. Minch, and S. Tiwari, +ow voltage ...
  • S. Szczepanski, S. Koziel, and E. S anchez- Sinencio, Einearized ...
  • SK Gupta, GG Pathak, D Das, C Sarma, 2011, Design ...
  • App _ i cations , International Jourmal of Wisdom Based ...
  • Kushwah R.s and Akashe S., 2013, FinFET Based Tunable Analog ...
  • نمایش کامل مراجع