رمضان عاقبتی - دانشجوی ارشد، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری
جواد باعدی - استاد گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه حکیم سبزواری

در این مقاله ابتدا یک سلول دو پیوندی متشکل از InGaN/CIGS را طراحی و با نرم افزار سیلواکو شبیه سازی کردیم در این کاراز یک لایه CdS به عنوان پوشش ضد انعکاس استفاده شده و بعد تطبیق جریان در سلول بالایی و پایینی با تغییر ضخامت پوشش ضد انعکاس شده و سپس بعد از برقراری تطبیق جریان برای CIGS باند گپ های مختلفی از 1.07 الکترون - ولت تا 1.69 الکترون ولت در نظر گرفته شده است و به ماکزیمم مقدار بازده در این حالت رسیده اند و بعد غلظت ناخالصی نوع n لایه InGaN را تغییر داده شده است و نتایج را با هم مقایسه شده و در بهینه ترین حالت [V] Voc=1.8 و mA/cm2 Isc=2.939*10-8 در این حالت بازده به %42.42 رسیده است.

سلول خورشیدی دو پیوندی، سیلواکو، تطبیق جریان، پوشش ضد انعکاس، باند گپ، ناخالصی، بازده