طراحی وشبیهسازی یک مدار تمام جمعکننده مد جریان با PDPپایین
Publish place: چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق،کامپیوتر و الکترونیک
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 752
This Paper With 15 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICMEAC04_031
تاریخ نمایه سازی: 19 خرداد 1396
Abstract:
در این مقاله یک طراحی جدید از تمام جمع کننده مد جریان با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی ارایه شده است. عملکرد بهتر تمام جمع کننده مد جریانی که با CNTFETساختهشده در مقایسه با تمام جمع کننده های مد جریانی که با CMOS ساخته شده اند در شبیه سازی و مقایسه قابل مشاهده است. این مدار بر اساس تابع اکثریت سه ورودی عمل می کند. شبیه سازی با بهره گیری از نرم افزارHSPICE و بر اساس مدل ارایه شده توسط دانشگاه استنفورد برای CNTFETها در ولتاژ تغذیه 65/0 ولت انجام شده است. مدار پیشنهادی از لحاظ سرعت، دقت و PDP در مقایسه با تمام جمع کننده های مد جریان پیشین عملکرد بهتری از خود نشان می دهد
Keywords:
Authors
پریسا نژادزاده
دانشجوی کارشناسی ارشد گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد نجف آباد ، اصفهان، ایران
محمدرضا رشادی نژاد
دانشیار گروه معماری کامپیوتر، دانشکده مهندسی کامپیوتر، دانشگاه اصفهان، اصفهان، ایران
عباس اسدی آقبلاغی
دانشکده مهندسی کامپیوتر، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد نجف آباد، اصفهان، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :