سید نورالله هدایت - گروه برق وفیزیک دانشگاه ارومیه
محمدتقی احمدی - گروه برق وفیزیک دانشگاه ارومیه
هادی گودرزی - گروه برق وفیزیک دانشگاه ارومیه
حسن صدقی - گروه برق وفیزیک دانشگاه ارومیه

با استفاده از کاربرد گرافن در صنعت الکترونیک می توان به ترانزیستورهاى سریع و کوچکتر با مصرف انرژى کمتر و پراکندگى حرارتى بیشتر نسبت به ابزارهاى پایه سیلیکونى دست یافت. در این مقاله ابتدا یک مدل تحلیلی برای گرافن نانو ریبون سه لایه TGNR ارایه می شود . برای بیان رسانش در TGNR دیفرانسیل گیری نسبت به انرژی انجام می شود تا تعداد مدها در کانال عبور بدست آید. سپس، مقداررسانش برای ترانزیستورهای اثر میدانی یک بعدیD- TGNFET در حالت تبهگن و غیر تبهگن می تواند حاصل شود . همچنین رسانش به عنوان یک پارامتر پایه به فرم انتگرال های فرمی مشهور بررسی می شود که برای شناخت ویژگی های الکتریکی آن خیلی مفید است.

گرافن سه لایه، تقریب های تبهگن و ناتبهگن، رسانایی، ترانزیستور، مدل تحلیلی