بررسی تاثیر پارامترهای ترانزیستورMESFET بر روی عناصر مدار معادل بر پایه تحلیل فیزیکی
عنوان مقاله: بررسی تاثیر پارامترهای ترانزیستورMESFET بر روی عناصر مدار معادل بر پایه تحلیل فیزیکی
شناسه ملی مقاله: ICEE12_153
منتشر شده در دوازدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران در سال 1383
شناسه ملی مقاله: ICEE12_153
منتشر شده در دوازدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران در سال 1383
مشخصات نویسندگان مقاله:
مسعود موحدی - دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهران)
عبدالعلی عبدی پور - دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهران)
خلاصه مقاله:
مسعود موحدی - دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهران)
عبدالعلی عبدی پور - دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهران)
در این مقاله روش جدیدی جهت استخراج المانهای مدار معادل سیگنال کوچک ترانزیستورهای مایکروویو و موج میلیمتری بر پایه مدل سازی فیزیکی و حل عددی معادله Drift-Diffusion به روش FDTDارائه شده است . مقایسه نتایج بتا سایر روشها از قبیل روش مونت کارلو ، صحت تکنیک به کار برده شده را نشان می دهد . نحوه تغییرات مقادیر این المانها بر حسب تغییر نقطه بایاس و اندازه فیزیکی ساختار طول گیت – بخش دیگر این مقاله را تشکیل می دهد .
کلمات کلیدی: ترانزیستور FDTD، MESFET ، معادله Drift-Diffusion ، مدل سازی فیزیکی ، پارامترهای سیگنال کوچک ، مایکروویو و موج میلیمتری
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/59925/