طراحی پیش تقویت کننده RGC کم نویز مدارمجتمع CMOS با پهنای باند 20GHz و بهره 60dBΩ
Publish place: Tabriz Journal of Electrical Engineering، Vol: 46، Issue: 2
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 428
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TJEE-46-2_005
تاریخ نمایه سازی: 10 تیر 1396
Abstract:
در این مقاله یک مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی 0/18μm CMOS برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری ارایه میشود. در این مدار یک پیش تقویت کننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت کننده امپدانس انتقالی می شود. در این مدار با استفاده از تکنیک های خازن دیژنراسیون و شبکه تطبیق مداری طراحی شده است که دارای پهنای باند 20GHz و بهره امپدانس انتقالی 60dBΩ و چگالی طیفی جریان نویز ارجاع به ورودی 12pA/sqrHz در باند فرکانسی تقویت کننده است. همچنین عملکرد مدار، شامل بهره امپدانس انتقالی و چگالی طیفی جریان نویز ارجاع به ورودی، پس از طراحی جانمایی، با شبیه سازی همراه با نظر گرفتن اثر خازن های پارازیتی تایید شد.
Keywords:
Authors
پرویز امیری
استادیار، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - تهران - ایران
محمود صیفوری
استادیار، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - تهران - ایران
بابک آفرین
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - تهران - ایران
آوا هدایتی پور
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - تهران - ایران