پرویز امیری - استادیار، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - تهران - ایران
محمود صیفوری - استادیار، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - تهران - ایران
بابک آفرین - دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - تهران - ایران
آوا هدایتی پور - دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - تهران - ایران

در این مقاله یک مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی 0/18μm CMOS برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری ارایه میشود. در این مدار یک پیش تقویت کننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت کننده امپدانس انتقالی می شود. در این مدار با استفاده از تکنیک های خازن دیژنراسیون و شبکه تطبیق مداری طراحی شده است که دارای پهنای باند 20GHz و بهره امپدانس انتقالی 60dBΩ و چگالی طیفی جریان نویز ارجاع به ورودی 12pA/sqrHz در باند فرکانسی تقویت کننده است. همچنین عملکرد مدار، شامل بهره امپدانس انتقالی و چگالی طیفی جریان نویز ارجاع به ورودی، پس از طراحی جانمایی، با شبیه سازی همراه با نظر گرفتن اثر خازن های پارازیتی تایید شد.

سیستم های مخابرات نوری، تقویت کننده امپدانس انتقالی، خازن دیژنراسیون، شبکه تطبیق