ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق با استفاده از یک تکه اکسید اضافی در کانال برای کاربردهای توان و فرکانس بالا

Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 742

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_TJEE-46-4_001

تاریخ نمایه سازی: 10 تیر 1396

Abstract:

در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدانی فلز نیمه هادی در تکنولوژی SOI معرفی میشود که مشخصات DC و فرکانسیبهتری نسبت به ساختارهای متداول دارد. ایده اصلی مقاله بر مبنی تغییر چگالی حامل ها توسط یک تکه اکسید اضافی چسبیده به لایه مدفوناکسید در سمت درین است. بهبود عملکرد قطعه توسط شبیه ساز دوبعدی بررسی می شود. در ساختار پیشنهادی ولتاژ شکست از 13V در ساختار متداول به 19V در ساختار جدید افزایش یافته و بهبودی حدود 47 % داشته است لذا توان ماکزیمم ساختاراز 0/19W/mm به 0/25W/mm بهبود یافته است. همچنین به دلیل کاهش خازن گیت- درین و خازن گیت- سورس مشخصه های فرکانسی ازجمله فرکانس قطع و ماکزیمم فرکانسنوسان و نویز بهبود یافته است. نتایج نشان می دهد که ساختار پیشنهادی مشخصه های توان و فرکانسی بهتری نسبت به ساختار متداولترانزیستورهای اثر میدانی فلز- نیمه هادی در تکنولوژی SOI را دارا است.

Keywords:

Authors

علی اصغر اروجی

استاد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه سمنان - سمنان - ایران

زینب رمضانی

دانشجوی دکتری، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه سمنان - سمنان - ایران

عاطفه رحیمی فر

دانشجوی دکتری، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه سمنان - سمنان - ایران